（12）实用新型专利
（21）申请号 CN201120071334.X （22）申请日 2011.03.17
（71）申请人 苏州固锝电子股份有限公司
地址 215153 江苏省苏州市高新区通安经济开发区通锡路31号
（10）申请公布号 CN202034373U
（43）申请公布日 2011.11.09
（72）发明人 孙玉华
（74）专利代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 马明渡
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种低功耗二极管
（57）摘要
一种低功耗二极管，包括具有P区和
N区硅片衬底，此P区由中央P区域和围绕此中央P区域的周边P区域组成，周边P区域上表面覆盖多晶硅钝化膜层，中央P区域上表面覆盖作为阳极的第一金属层，所述多晶硅钝化膜层上表面覆盖玻璃胶层，N区下表面覆盖作为阴极的第二金属层，所述中央P区域的掺杂深度大于周边P区域的掺杂深度；所述P区与所述N区之间的接触面呈弧形。本实用新型所述P区与N区之间的接触面呈弧形，克服了现有二极管功耗较大的缺
陷。 法律状态
法律状态公告日
2011-11-09 2011-11-09 2018-04-03
授权 授权 专利权的终止
法律状态信息
授权 授权
法律状态
专利权的终止
权利要求说明书
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说明书
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