发布网友 发布时间:2022-04-22 17:58
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热心网友 时间:2023-11-14 16:31
LM386是功放芯片,是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为20,透过pin 1 和pin8脚位间电容的搭配,增益最高可达200。LM386可使用电池为供应电源,输入电压范围可由4V~12V,无作动时仅消耗4mA电流,且失真低。表1为其电气特性。
各个脚作用如下:
1—增益设定;2—反向输入;3—正向输入;4—GND;5—Vout 输出;6—+电源;7—旁路;8—增益设定。
接法见图。
LM386电气参数
极限参数:
电源电压
(LM386N-1,-3,LM386M-1)15V
电源电压(LM386N-4)22V
封装耗散
(LM386N)1.25W
(LM386M)0.73W
(LM386MM-1)0.595W
输入电压±0.4V
储存温度-65℃至+150℃
操作温度0℃至+70℃
结温+150℃
焊接信息
焊接(10秒)260℃
小外形封装(SOIC和MSOP)
气相(60秒)215℃
红外(15秒)220℃
热电阻
qJC (DIP)37℃/W
qJA (DIP)107℃/W
qJC (SO封装)35℃/W
qJA (SO封装)172℃/W
qJA (MSOP封装)210℃/W
qJC (MSOP封装)56℃/W
表1. LM386电气特性
Parameter 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位
Operating Supply Voltage (VS) 操作电源电压 - -
LM386N-1,-3,LM386M-1,LM386MM-1 4 - 12 V
LM386N-4 5 - 18 V
Quiescent Current (IQ) 静态电流 VS = 6V, VIN =0 4 8 mA
Output Power (POUT) 输出功率 - -
LM386N-1,LM386M-1,LM386MM-1 VS = 6V, RL =8W, THD = 10% 250 325 - mW
LM386N-3 VS = 9V, RL =8W, THD = 10% 500 700 - mW
LM386N-4 VS=16V, RL =32W, THD = 10% 700 1000 - mW
Voltage Gain (AV) 电压增益 VS = 6V, f = 1 kHz 26 - dB
10 μF from Pin 1 to 8 46 - dB
Bandwidth (BW) 宽带 VS = 6V, Pins 1 and 8 Open 300 - kHz
Total Harmonic Distortion (THD)总谐波失 真 VS = 6V, RL =8W,POUT = 125 mW f = 1 kHz, Pins 1 and 8 Open - 0.2 - %
Power Supply Rejection Ratio (PSRR) 电源抑制比 VS=6V, f=1kHz, CBYPASS =10 μF Pins 1 and 8 Open,Referred to Output - 50 - dB
Input Resistance (RIN) 输入电阻 - - 50 - kΩ
Input Bias Current (IBIAS) 输入偏置电流 VS = 6V, Pins 2 and 3 Open - 250 - nA